氧化/擴散系統(Oxidation/Diffusion System)

 

 

主要規格:

Wafer Size :

4" silicon Wafer

Temperature:

100 ~ 1100℃

服務項目:

1.

Wet Oxide                                 

2.

Dry Oxide                                

3.

Low Temperature Oxide           

注意事項:

1. 請註明氧化層之厚度。

2.

若有特殊製程要求與限制請洽詢負責人。

●收費標準:學術單位減500元代工費。

委託代工:
    每Run 25片。含標準清洗(四吋含清洗費,其它尺寸清洗費另計),標準清洗25片一RUN。

一次送50片打     9折
一次送75片打   85折
一次送100片打   8折


濕氧製程:
水蒸氣式,非氫氧點火式,25片一RUN。

1000A          :3800元

2000A          :4000元
3000A          :4200元
4000A          :4500元
5000A          :5000元
6000A          :5600元
7000A          :6300元
8000A          :7100元
9000A          :8000元
1.0um           :9000元
1.2um           :13000元
1.5um           :17000元
1.7um           :19000元
2.0um           :22000元

1100℃乾氧製程:
通純氧,25片一RUN。


1000A :5000元
2000A :9000元

關鍵字:高溫爐管、成長二氧化矽、SiO2、濕氧、乾氧、磷擴散、硼擴散、退火製程、Alloy製程