反應性離子蝕刻系統(RIE System)

廠 牌:Integrated Plasma Limited

●主要規格:
PowerRF (13.56 MHz) 0 600W
GasN2, O2, CF4, CHF4, CHF3, SF6
Main pumpTurbo pump
Ultimate pressure :Ultimate pressure:∼ 10E-9 Torr
Process Pressure10E-210E-3 Torr
●服務項目:Etch SiO2, Ploy-Si or Si3N4 on 4" Silicon wafer
●注意事項:
    (1).請詳細註明欲蝕刻的膜厚度及種類
    (2).不接受破片
收費標準:

學術單位:1,500/hr+1,500元開機費

非學術單位:1,500/hr+2,000元開機費

關鍵字:RIE、反應離子蝕刻機