8吋、12吋高溫氧化/擴散系統(Oxidation System)

 

 

主要規格:

Wafer Size :12吋以下晶圓
Temperature:100 ~ 1100℃

服務項目:

1.Wet Oxide                                 
2.Dry Oxide                                
3.Low Temperature Oxide           

注意事項:

1.請註明氧化層之厚度。
2.若有特殊製程要求與限制請洽詢負責人。

●收費標準:學術單位減500元代工費。6吋及8吋製作費用與4吋相同。12吋晶圓製程費用為8吋晶圓製程費用的2倍計算。

委託代工:
    每Run 25片。含標準清洗(4吋含清洗費,其它尺寸清洗費另計),標準清洗25片一RUN。


濕氧製程:
水蒸氣式,非氫氧點火式,25片一RUN。

5000A          :5000元
1.0um           :9000元
1.2um           :13000元
1.5um           :17000元
1.7um          :19000元
2.0um           :22000元

1100℃乾氧製程:
通純氧,25片一RUN。


1000A :5000元
2000A :9000元

●負責人:張先生,電話:03-5722644、03-5715131-34048,email:yhchang@tcfst.org.tw

關鍵字:8吋高溫爐管、12吋高溫氧化爐管、成長二氧化矽、SiO2、濕氧、乾氧、磷擴散、硼擴散、退火製程、Alloy製程