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反應性離子蝕刻系統(RIE System)
廠 牌：Integrated
Plasma Limited
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| ●主要規格： |
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| Power：RF (13.56
MHz) 0 ∼ 600W |
| Gas：N2, O2, CF4, CHF4, CHF3, SF6 |
| Main pump：Turbo pump |
| Ultimate
pressure :Ultimate
pressure：∼ 10E-9
Torr |
| Process Pressure：10E-2∼10E-3 Torr |
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| ●服務項目：Etch
SiO2, Ploy-Si or Si3N4 on 4" Silicon wafer |
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| ●注意事項： |
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(1).請詳細註明欲蝕刻的膜厚度及種類 |
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(2).不接受破片 |
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| ●收費標準： |
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學術單位：1,500元/hr+1,500元開機費
非學術單位：1,500元/hr+2,000元開機費
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| 關鍵字：RIE、反應離子蝕刻機 |
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