射頻式真空濺鍍系統
(RF Sputter System)

●主要規格：

   雙GUN設計，鍍雙層膜可不破真空。
    Wafer Size: 4 inch silicon wafer, maximum 8 wafers per each run.
                         6 inch silicon wafer, maximum 4 wafers per each run.
                         8  inch silicon wafer, maximum 1 wafers per each run.
                        12  inch silicon wafer, maximum 1 wafers per each run.
    Power Supply: Maximum 500W
    Operating Pressure: <5×10-6 Torr
    均勻度：± 5%

●注意事項：
    (1).  4 or 6 or 8 or 12 inch silicon wafer or Glass，破片亦可。
    (2).  10*10 cm 基板。

●每一個RUN以8片計，學術單位每RUN酌收2000元（雙層膜2500元，合金3000元）耗材基本費用。非學術單位開機費再加收500元。
    鍍材           費用
    Cr              300 元/KÅ
    Ti               600 元/KÅ
    Cu              300 元/KÅ
   CuO            1200元/KÅ
    Ni               600 元/KÅ
    W               600 元/KÅ，超過2000Å，加收2100元/RUN
    Al               400 元/KÅ
    Ta               1000 元/KÅ
    Nb              600 元/KÅ
    Mo             800 元/KÅ
    Hf               1000元/KÅ
    In               5000元/KÅ
    Ag              1000 元/KÅ
   Ago             1200元/KÅ
    Au              900 元/100Å
    Pt                700 元/100Å
    ITO             1000 元/KÅ 1000Å：55Ω/□，電阻係數5.5*10-4Ω•cm
   IGZO           1200 元/KÅ
   AZO            1000元/KÅ
    WO3           1200 元/KÅ
    Si3N4          1600 元/KÅ 
    SiO2            1400 元/KÅ 
    a-Si              1200 元/KÅ 
   Nb2O5         2200元/KÅ  8-12" 3000元/KA
    Ta2O5          1200元/KÅ
    TiO2             500 元/100Å
    Al2O3          3000 元/KÅ
    AlN              1400 元/KÅ
   自備靶材       鍍率超過70Å/min, 200 元/KÅ

                        70Å-50Å/min, 400 元/KÅ

                        49Å-40Å/min, 800 元/KÅ

                        39Å-30Å/min, 1400 元/KÅ

                        29Å-20Å/min, 1800 元/KÅ

                        19Å-10Å/min, 2200 元/KÅ

                        10Å-5Å/min, 3000 元/KÅ

                        4Å-1Å/min, 500 元/100Å  

關鍵字：金屬、非金屬薄膜濺鍍沈積、PVD、DC-Sputter、RF-Sputter