射頻式真空濺鍍系統
(RF Sputter System)

主要規格:

   雙GUN設計,鍍雙層膜可不破真空。

    Wafer Size: 4 inch silicon wafer, maximum 8 wafers per each run.
                         6 inch silicon wafer, maximum 4 wafers per each run.
                         8  inch silicon wafer, maximum 1 wafers per each run.
                        12  inch silicon wafer, maximum 1 wafers per each run.
    Power Supply: Maximum 500W
    Operating Pressure: <5×10-6 Torr
    均勻度:± 5%

注意事項:

    (1).  4 or 6 or 8 or 12 inch silicon wafer or Glass,破片亦可。
    (2).  10*10 cm 基板。

每一個RUN8片計,學術單位每RUN酌收2000元(雙層膜2500元,合金3000元)耗材基本費用。非學術單位開機費再加收500元。
   
鍍材           費用
    Cr              300
/KÅ
    Ti               600
/KÅ
    Cu              300
/KÅ
   CuO            1200/KÅ
    Ni               600
/KÅ
    W               600
/KÅ,超過2000Å,加收2100/RUN
    Al               400
/KÅ
    Ta               1000
/KÅ
    Nb              600
/KÅ
    Mo             800
/KÅ
    Hf               1000/KÅ
    In              
5000/KÅ

    Ag              1000
/KÅ
   Ago             1200/KÅ
    Au              500
/100Å
    Pt                600
/100Å
    ITO             1000
/KÅ 1000Å55Ω/□,電阻係數5.5*10-4Ωcm
   IGZO           1200 /KÅ
   AZO            1000
/KÅ
    WO3           1200
/KÅ
    Si3N4          1600
/KÅ 
    SiO2            1400
/KÅ 
    a-Si              1200
/KÅ 
   Nb2O5         2200
/KÅ  8-12" 3000元/KA
    Ta2O5          1200
/KÅ
    TiO2             500
/100Å
    Al2O3          3000
/KÅ
    AlN              1400
/KÅ
   
自備靶材       鍍率超過70Å/min, 200 /KÅ

                        70Å-50Å/min, 400 /KÅ

                        49Å-40Å/min, 800 /KÅ

                        39Å-30Å/min, 1400 /KÅ

                        29Å-20Å/min, 1800 /KÅ

                        19Å-10Å/min, 2200 /KÅ

                        10Å-5Å/min, 3000 /KÅ

                        4Å-1Å/min, 500 /100Å  

關鍵字:金屬、非金屬薄膜濺鍍沈積、PVDDC-SputterRF-Sputter