射頻式真空濺鍍系統
(RF Sputter System)

●主要規格：

    Wafer Size: 4 inch silicon wafer, maximum 8 wafers per each run.
    Power Supply: Maximum 500W
    Operating Pressure: <5×10-6 Torr
    均勻度：± 3%

●服務項目：Cr、Cu、W、Al、Ta、ITO、Ni、WO3、Ti
   ITO：1000Å 片電阻約100Ω/□

●注意事項：
    (1).  4 or 6  inch silicon wafer or Glass，破片亦可。
    (2).  10*10 cm 基板。

●收費標準：
代工：

每一個RUN以8片計，每RUN酌收1500元耗材基本費用。
    鍍材     費用
    Cr                  300元/KÅ
    Ti                   600 元/KÅ
    Cu                 300 元/KÅ
    Ni                  600 元/KÅ
    W                  600 元/KÅ，超過1000Å，加收1800元/RUN
    Al                  400 元/KÅ
    Ta                  300 元/KÅ
    ITO                800 元/KÅ
    Ni                   600元/KÅ
    WO3              700元/KÅ+ 2100元
    Ti                    600元/KÅ
  自備靶材       200元/KÅ

關鍵字：金屬、非金屬薄膜濺鍍沈積、PVD、DC-Sputter、RF-Sputter