●主要規格：
Power：RF1 : 0 ∼ 600W, 13.56 MHz 
RF2 : 0 ∼1000W, 13.56 MHz 
Gas：CF4, CHF3, C4F8, SF6 
Main pump：Turbo pump 
Ultimate pressure：∼ 10E-6 Torr 
Process Pressure：10mT ∼ 30mT 
Temperature : 10 ~ 90 C 
Masking material selectivity : 
PR (AZP4620 或S1813)　　PR:Si=1:60 
SiO2(thermal oxide)　　SiO2:Si=1:150

●服務項目：
(1) Substrate material : Silicon wafer only
(2) Wafer size : 4" or 6” Silicon wafer

●注意事項：
(1) 遮罩材料限SiO2, 光阻
(2) 使用厚光阻(~5um)須用hotplate 100℃硬烤2小時以上
(3) 使用厚光阻(>5um)，面洽
(4) 不接受破片
(5) 特殊製程(蝕刻深度>300um, 面洽)
(6) 晶片蝕刻後，留下的厚度須大於100um
(7) 背面不得塗光阻

●收費標準：每一 RUN一片,酌收2,500元耗材基本費用再加 Si 35元/um